層層浸漬法制備薄膜?。。?/h1>

來源：未知 發(fā)布日期：2021-01-25 09:08【大 中 小】

實(shí)驗(yàn)部分

電子天平（ＪＡ１２０３Ａ 型），上海精天電子儀器有 限公司；超聲波清洗器（ＫＨ－４００ＫＤＥ型），昆山禾創(chuàng) 超 聲 儀 器 有 限 公 司；恒 溫 油 水 浴 鍋 （ＸＭＴＥ－７０００ 型），上海申順生物科技有限公司；恒溫加熱磁力攪 拌器（ＤＦ－１０１Ｓ型），邦西儀器科技（上海）有限公司； 鍍膜提拉機(jī)（ＺＲ－４２００型），青島 眾 瑞 智 能 儀 器 有 限 公司；電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱（ＤＨＧ－９０７６Ａ 型），上海 精宏實(shí) 驗(yàn) 設(shè) 備 有 限 公 司；箱 式 電 阻 爐 （ＳＸ－７．７－１７ 型），上海才興高溫元件電爐廠；場發(fā)射掃描電子顯 微鏡（ＦＥＳＥＭ，ＦＥＩＮｏｖａＮａｎｏ４５０型），美國 ＦＥＩ公 司；Ｘ射線衍射儀（ＸＲＤ，Ｄ／ＭＡＸ２５００ＰＣ 型），日本 理學(xué)株式會社；掃描探針顯微鏡（ＭＦＰ－３Ｄ 型），牛津 儀 器 Ａｓｙｌｕｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ 公 司；熒 光 光 譜 分 析 儀 （ＸＲＦ，ＦＬＳ９２０型），ＥｄｉｎｂｕｒｇｈＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ公司。

結(jié)果與討論

在最佳激發(fā)波長２６２ｎｍ 來激發(fā)，在十二烷基苯 磺酸鈉 用 量 為 １５％，９００℃ 焙燒 ３ｈ 條件 下，。 Ｅｕ３＋∶ＫＹＷ 薄膜的發(fā)射 光 譜 包 含 了２個(gè) 部 分：一 部 分在３５０～４５０ｎｍ 范圍內(nèi)的 ＷＯ２－ ４ 離子內(nèi)部 Ｏ→Ｗ 的 ＬＭＣＴ 躍遷（即配體到金屬的電荷躍遷），另一部 分就是在５５０～６５０ｎｍ 范圍 內(nèi) 的 Ｅｕ３＋ 離子 特 征 躍 遷，分 別 是 Ｅｕ３＋ 離 子 ５９０ｎｍ（５ Ｄ０→７ Ｆ１ ）、６１４ｎｍ （５ Ｄ０→７ Ｆ２）、６６０ｎｍ（５ Ｄ０→７ Ｆ３）處的特征發(fā)射光譜 峰，其中最強(qiáng)峰為６１４ｎｍ（５ Ｄ０→７ Ｆ２）處的電偶極躍 遷產(chǎn)生的紅色發(fā)射光譜峰，形成這種躍遷的原因是 是由于 Ｅｕ３＋ 離子取代的格位缺乏反演對稱性；位于 ５９０ｎｍ 附 近的橙紅光發(fā)射對應(yīng)于 Ｅｕ３＋ 離 子 的 ５ Ｄ０→７ Ｆ１ 磁偶極躍遷，產(chǎn)生磁偶極躍遷的原因是由 于對稱中心格位被 Ｅｕ３＋ 離子 取 代，一 般 而 言，電 偶 極躍遷和磁偶極躍遷的發(fā)光強(qiáng)度的比被視為一個(gè)檢 測在基質(zhì)中 Ｅｕ３＋ 周圍的反演對稱性的探針，由 于位于６１４ｎｍ 處的發(fā)光強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于５９０ｎｍ 處的 發(fā)光強(qiáng)度，由此可知電偶極躍遷的強(qiáng)度大于磁偶極 躍遷的強(qiáng)度，進(jìn)而表明 Ｅｕ３＋ 處于 非 反 演 對 稱 中 心， 產(chǎn)生以 ５ Ｄ０→７ Ｆ２（６１４ｎｍ）電偶極躍遷為主的紅光 發(fā)射。

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